Semi-conductive ceramic, process for preparing this ceramic,...

C - Chemistry – Metallurgy – 04 – B

Patent

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C04B 35/42 (2006.01) C04B 35/105 (2006.01) C04B 35/185 (2006.01) C04B 38/00 (2006.01) H01T 13/38 (2006.01)

Patent

CA 2481935

Procédé de préparation d'une céramique semi-conductrice, caractérisé en ce que: - on mélange, dans un récipient renfermant un liquide, 30 à 90% d'une phase conductrice à base de Z1-x M x CrO3 pour 0<= X <=0,3, avec Z pouvant être un élément du groupe des lanthanides ou un mélange de tels éléments, et M pouvant être du calcium, du strontium, du magnésium, de l'aluminium, du titane, de l'yttrium ou un mélange de deux ou plus de ces éléments ; 8 à 60% d'une phase isolante à base d'alumine à grains fins ou d'alumine tabulaire ou de mullite ou d'un mélange de deux ou plus de ces composés ; et 0 à 10% d'additifs de frittage ; - on effectue des opérations de broyage, de séchage et de tamisage de ce mélange ; - on effectue un pressage de ce mélange ; - et on effectue un frittage de ce mélange de manière à obtenir une céramique de porosité inférieure ou égale à 25%. Céramique ainsi obtenue, et bougie d'allumage l'utilisant.

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