Semi-conductor phase modulator

G - Physics – 02 – F

Patent

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Details

G02F 1/025 (2006.01) G02F 1/015 (2006.01)

Patent

CA 2291522

L'invention concerne un modulateur de phase à semi-conducteur comprenant une couche de gaine inférieure, un guide d'onde actif et une couche de gaine supérieure, déposés successivement sur un substrat en matériau III-V. Le guide d'onde actif comporte au moins une première couche active, possédant une première longueur d'onde de photoluminescence (1 1), et une deuxième couche active de compensation, possédant une deuxième longueur d'onde de photoluminescence (1 2). La longueur d'onde d'utilisation (1 0) du modulateur est supérieure à la première longueur d'onde de photoluminescence (1 1) d'une valeur comprise entre 80 et 200nm, et elle est supérieure à la deuxième longueur d'onde de photoluminescence (1 2) d'une valeur supérieure à 300nm.

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Profile ID: LFCA-PAI-O-1964664

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