C - Chemistry – Metallurgy – 08 – L
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
08
L
C08L 51/06 (2006.01) C08K 3/04 (2006.01) C08L 23/08 (2006.01) H01B 1/24 (2006.01) H01B 3/30 (2006.01)
Patent
CA 2228925
There is provided a semiconductive resin composition comprising the following components (A), ( B ), ( D ) and (E): (A) 5 to 100 parts by weight of a modified ethylene copolymer obtainable by subjecting an ethylene copolymer (a1) and a vinyl monomer (a2) to graft polymerization conditions, (B) 0.5 to 15 parts by weight of an unsaturated silane compound, (D) 10 to 110 parts by weight of carbon black, and (E) 0 to 95 parts by weight of an ethylene copolymer, provided that the amounts of the components shown above are based on 100 parts by weight in total of the components (A) and (E), wherein the component (B) is incorporated into the composition by subjecting the component (B) to melt graft reaction together with the component (A) and/or component (E) in the presence of 0.01 to 2 parts by weight of a radical generator (C), the vinyl monomer (a2) unit is contained in the composition in an amount of 5 to 35% by weight of the total amount of the components (A) and (E), and the degree of crosslinking of the composition is from 30 to 90% by weight.
Résine semi-conductrice renfermant les constituants (A), (B), (D) et (E) suivants : (A) 5 à 100 parties en poids d'un copolymère d'éthylène modifié, obtenu en soumettant un copolymère d'éthylène (a1) et un monomère vinylique (a2) à une polymérisation par greffe, (B) 0,5 à 15 parties en poids d'un silane insaturé, (D) 10 à 110 parties en poids de noir de carbone, (E) 0 à 95 parties en poids d'un copolymère d'éthylène, à la condition que les quantités des constituants apparaissant ci-dessus soient basées sur un total de 100 parties en poids représentés par les constituants (A) et (E); le constituant (B) est incorporé dans la composition en le soumettant à une réaction de greffe par fusion avec le constituant (A) et (ou) le constituant (E), en présence de 0,01 à 2 parties en poids d'un producteur de radical (C); l'unité de monomère vinylique (a2) est présente dans la composition à raison de 5 à 35 % en poids du montant total des constituants (A) et (E), et le taux de réticulation de la composition est de 30 à 90 % en poids.
Deguchi Jichio
Kitagawa Masaki
Mizutani Toshikazu
Yoshida Yoshie
Macrae & Co.
Mitsubishi Chemical Corporation
LandOfFree
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