F - Mech Eng,Light,Heat,Weapons – 42 – B
Patent
F - Mech Eng,Light,Heat,Weapons
42
B
F42B 3/13 (2006.01) B81B 3/00 (2006.01) F42B 19/12 (2006.01) H01L 21/44 (2006.01)
Patent
CA 2253672
A device, e.g., an explosive-initiation device (24) includes a semiconductor bridge device (10) comprising semiconductor pads (14a, 14b) separated by an initiator bridge (14c) and having metallized lands (16a, 16b) disposed over the pads (14a, 14b). The metallized lands (16a, 16b) each comprises a titanium base layer (18), a titanium-tungsten intermediate layer (20) and a tungsten top layer (22). This multilayer construction is simple to apply, provides good adhesion to semiconductor (14) and enhanced semiconductor bridge characteristics, and avoids electromigration problems attendant upon use of aluminum metallized lands under severe conditions of no-fire tests and very low firing voltage or current levels. The semiconductor (14) may optionally be covered by a cap or cover (117) of stratified metal layer similar or identical to the metallized lands (16a, 16b). A method of making semiconductor bridge devices includes metal sputtering of titanium, then titanium plus tungsten and then tungsten onto appropriately masked semiconductor surface to attain multilayer metallized lands (16a, 16b) and/or cover (117) of the invention.
Un dispositif, par exemple un dispositif d'amorce d'explosif (24), comprend un dispositif à pont semiconducteur (10) ayant des plots semi-conducteurs (14a, 14b) séparés par un pont amorceur (14c) et ayant des plats métallisés (16a, 16b) disposés au-dessus des plots (14a, 14b). Les plats métallisés (16a, 16b) possèdent chacun une couche de base en titane (18), une couche intermédiaire en titane-tungstène (20) et une couche supérieure en tungstène (22). La construction multicouche est simple à appliquer, assure une bonne adhésion sur le semiconducteur (14) et améliore les caractéristiques du pont semiconducteur, et évite les problèmes d'électro-migration relatifs à l'utilisation de plats métallisés en aluminium dans des conditions sévères de tests sans mise à feu et des niveaux de tension ou de courant de mise à feu très bas. Le semiconducteur (14) peut éventuellement être recouvert par une couverture (117) d'une couche métallique stratifiée similaire ou identique aux plats métallisés (16a, 16b). Un procédé de fabrication de dispositifs à pont semiconducteur comprend la pulvérisation de titane, puis de titane et de tungstène, puis de tungstène sur une surface semi-conductrice masquée de manière appropriée pour atteindre les plats métallisés multicouches (16a, 16b) et/ou la couverture (117) de l'invention.
Martinez-Tovar Bernardo
Montoya John A.
Ensign-Bickford Aerospace & Defense Company
Scb Technologies Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1812832