Semiconductor device

Details Semiconductor device Semiconductor device

H - Electricity

01

L

H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/28 (2006.01) H01L 21/338 (2006.01) H01L 29/12 (2006.01) H01L 29/417 (2006.01) H01L 29/812 (2006.01)

Patent

CA 2721671

A MOSFET (1) capable of achieving decrease in the number of steps in a manufacturing process and improvement in integration includes an SiC wafer (10) composed of silicon carbide and a source contact electrode (16) arranged in contact with the SiC wafer (10) and containing titanium, aluminum, silicon, and carbon as well as a remaining inevitable impurity The SiC wafer (10) includes an n+ source region (14) having an n conductivity type and a p+ region (18) having a p conductivity type Both of the n+ source region (14) and the p+ region (18) are in contact with the source contact electrode (16) The source contact electrode (16) contains aluminum and titanium in a region including an interface with the SiC wafer (10).

L'invention porte sur un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFT) (1), qui peut réduire le nombre d'étapes du processus de fabrication et améliorer le degré d'intégration.  Ledit transistor est pourvu d'une tranche SiC (10) composée de carbure de silicium, et d'électrodes de contact de source (16), dont chacune est agencée en contact avec la tranche SiC (10) et contient du titane, de l'aluminium, du silicium et du carbone, le reste étant composé d'impuretés inévitables. La tranche SiC (10) comprend une région de source n+ (14) ayant un type de conductivité n, et une région p+ (18) ayant une conductivité de type p. La région de source n+ (14) et la région p+ (18) sont amenées en contact avec les électrodes de contact de source (16), respectivement. L'électrode de contact de source (16) contient de l'aluminium et du titane dans une région comprenant une interface entre l'électrode de contact de source et la tranche SiC (10).

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