Semiconductor device

Details Semiconductor device Semiconductor device

H - Electricity

01

L

H01L 21/56 (2006.01) H01L 21/60 (2006.01) H01L 23/12 (2006.01) H01L 23/29 (2006.01) H01L 23/31 (2006.01)

Patent

CA 2637812

A semiconductor device (1) is provided with a substrate (3), a semiconductor chip (4) mounted on the substrate (3), a bump (5) for connecting the substrate (3) with the semiconductor chip (4), and an underfill (6) applied on the periphery of the bump (5). When the bump (5) is of a high melting point solder having a melting point of 230~C or higher, the underfill (6) is composed of a resin material having an elastic modulus of 30Mpa or more but not more than 3,000Mpa. When the bump (5) is of a lead-free solder, the underfill (6) is composed of a resin material having an elastic modulus of 150Mpa or more but not more than 800Mpa. The linear expansion coefficient in the substrate in- plane direction of an insulating layer (311) of a build-up layer (31) of the substrate (3) at 25~C or higher but not higher than a glass transition point is 35ppm/~C or below.

L'invention concerne un dispositif semi-conducteur (1) doté d'un substrat (3), d'une puce semi-conductrice (4) montée sur le substrat (3), d'un bossage (5) permettant de connecter le substrat (3) à la puce semi-conductrice (4) et d'un manque de métal (6) appliqué sur la périphérie du bossage (5). Lorsque le bossage (5) provient d'une soudure à point de fusion élevé ayant un point de fusion de 230°C ou plus, le manque de métal (6) est composé d'un matériau de résine ayant un module élastique de 30Mpa ou plus mais n'excédant pas 3000 Mpa. Lorsque le bossage (5) provient d'une soudure exempte de plomb, le manque de métal (6) est composé d'un matériau de résine ayant un module élastique de 150 Mpa ou plus mais n'excédant pas 800 Mpa. Le coefficient d'expansion linéaire dans la direction dans le plan du substrat d'une couche isolante (311) d'une couche intégrée (31) du substrat (3) à 25°C ou plus mais pas plus haut qu'un point de température vitreuse est de 35 ppm/°C ou moins.

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Profile ID: LFCA-PAI-O-1515905