H - Electricity – 05 – K
Patent
H - Electricity
05
K
H05K 1/18 (2006.01) H01L 21/58 (2006.01) H01L 21/68 (2006.01) H01L 21/78 (2006.01) H05K 3/32 (2006.01)
Patent
CA 2221127
A semiconductor chip (105') is stuck to a substrate (412) with an organic adhesive layer (409) containing conductive particles (406) and electrodes (412) are electrically connected to pads (405) through the particles (406). The chip (105') is produced by a method of rotating at a high speed or horizontally reciprocally moving a semiconductor wafer (105) stuck on a tape (107) to flow etchant on the semiconductor wafer (105) rapidly and horizontally, etching uniformly the semiconductor wafer (105) by the etchant to thin the wafer (105), and dicing the wafer (105) into chips. The thin semiconductor chip (150) is stuck to the substrate (102) by heating and pressing the chip (105') to the substrate (102) by using a heating head (106). Therefore, the semiconductor chip (105') is stably produced at a low cost and is stuck to the substrate (412) without causing cracks in the chip and, as a result, a thin semiconductor device which is hardly destroyed by external bending stresses is obtained.
Puce de semi-conducteur (105') qui est collée sur un substrat (412) à l'aide d'une couche adhésive organique (406) contenant des particules conductrices (406). Des électrodes (412) sont connectées électriquement à des plages de connexion (405) par l'intermédiaires des particules (406). La puce (105') est produite par un procédé consistant à faire tourner à grande vitesse ou à déplacer par un mouvement de va-et-vient horizontal une tranche de semi-conducteur (105) collée sur une bande (107) pour faire couler rapidement et horizontalement un agent d'attaque sur la tranche (105) de semi-conducteur, à attaquer uniformément la tranche (105) de semi-conducteur à l'aide de l'agent d'attaque pour amincir ladite tranche (105) et à diviser la tranche (105) en puces. La puce (150) de semi-conducteur mince est collée sur le substrat par chauffe et pressage de ladite puce (105') sur le substrat à l'aide d'une tête de chauffe (106). Par conséquent, la puce (105') de semi-conducteur est produite de manière stable et peu onéreuse et est collée sur le substrat (412) sans provoquer de fissures dans la puce. On obtient ainsi un composant à semi-conducteur mince qui est difficile à détruire sous l'effet de contraintes provoquées par un pliage.
Nishi Kunihiko
Tsubosaki Kunihiro
Usami Mitsuo
Hitachi Ltd.
Kirby Eades Gale Baker
LandOfFree
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