H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/15 (2006.01) H01L 29/423 (2006.01) H01L 29/772 (2006.01)
Patent
CA 2609602
A semiconductor device may include a semiconductor substrate and at least one active device adjacent the semiconductor substrate. The at least one active device may include an electrode layer, a high-K dielectric layer underlying the electrode layer and in contact therewith, and a superlattice underlying the high-K dielectric layer opposite the electrode layer and in contact with the high-K dielectric layer. The superlattice may include a plurality of stacked groups of layers. Each group of layers of the superlattice may include a plurality of stacked base semiconductor monolayers defining a base semiconductor portion and at least one non-semiconductor monolayer constrained within a crystal lattice of adjacent base semiconductor portions.
Un dispositif à semi-conducteurs peut contenir un substrat semi-conducteur et au moins un dispositif actif adjacent au substrat. Le au moins un dispositif actif peut contenir une couche d'électrode, une couche diélectrique à K élevé sous la couche d'électrode et en contact avec celle-ci et un réseau superposé sous la couche diélectrique à K élevé à l'opposé de la couche d'électrode et en contact avec la couche diélectrique. Le réseau superposé peut présenter une pluralité de groupes empilés de couches, chaque groupe à couches du réseau superposé peut présenter une pluralité de monocouches empilées à semi-conducteurs de base délimitant une partie semi-conductrice de base et au moins une monocouche non semi-conductrice confinée dans un réseau cristallin de parties adjacentes semi-conductrices de base.
Dukovski Ilija
Halilov Samed
Huang Xiangyang
Hytha Marek
Kreps Scott A.
Mears Technologies Inc.
Teitelbaum & Maclean
LandOfFree
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