H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/872 (2006.01) H01L 29/868 (2006.01)
Patent
CA 2650470
A wide bandgap semiconductor device with surge current protection and a method of making the device are described. The device comprises a low doped n-type region formed by plasma etching through the first epitaxial layer grown on a heavily doped n-type substrate and a plurality of heavily doped p-type regions formed by plasma etching through the second epitaxial layer grown on the first epitaxial layer. Ohmic contacts are formed on p-type regions and on the backside of the n-type substrate. Schottky contacts are formed on the top surface of the n-type region. At normal operating conditions, the current in the device flows through the Schottky contacts. The device, however, is capable of withstanding extremely high current densities due to conductivity modulation caused by minority carrier injection from p-type regions.
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur à large bande interdite avec protection contre le courant de surcharge et un procédé de fabrication de ce dispositif. Le dispositif comprend une région de type n faiblement dopée définie par gravure au plasma à travers la première couche épitaxiale formée sur un substrat de type n fortement dopé, et une pluralité de régions de type p fortement dopées définies par gravure au plasma à travers la seconde couche épitaxiale formée sur la première couche épitaxiale. Des contacts ohmiques sont formés sur des régions de type p et sur l'arrière du substrat de type n. Des contacts Schottky sont formés sur la surface supérieure de la région de type n. Dans des conditions de fonctionnement normales, le courant dans le dispositif traverse les contacts Schottky. Cependant, le dispositif peut résister à des densités de courant extrêmement élevées du fait de la modulation de conductivité causée par l'injection d'un porteur minoritaire à partir des régions de type p.
Merrett Joseph Neil
Sankin Igor
Macrae & Co.
Semisouth Laboratories Inc.
Ss Sc Ip Llc
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1391336