H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/203 (2006.01) H01L 21/28 (2006.01) H01L 21/316 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 29/20 (2006.01) H01L 29/51 (2006.01) H01S 5/16 (2006.01) H01S 5/22 (2006.01) H01S 5/223 (2006.01) H01S 5/323 (2006.01) H01S 5/343 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2187354
By implementing oxidation to obtain a native oxide of aluminum (581, 582) after a device has been metallized (505, 565), advantages can be obtained in device operation, reliability, and life. A method of making a semiconductor device is disclosed and includes the following steps: forming a structure comprising layers of III-V semiconductor material, at least one of the layers being an aluminum-bearing III-V semiconductor material (530, 550); applying metal electrodes (505, 565) to the structure to form a metallized semiconductor structure; and heating the metallized structure in a water-containing environment to convert a portion of the aluminum-bearing III-V semiconductor material to a native oxide of aluminum (581, 582).
En procédant à une oxydation pour obtenir un oxyde d'aluminium naturel (581, 582) après avoir métallisé (505, 565) un dispositif, on peut obtenir des avantages relatifs au fonctionnement, à la fiabilité et à la durée de vie d'un dispositif. L'invention se rapporte à un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs qui consiste à former une structure comprenant des couches de matériau semi-conducteur des groupes III à V, au moins une des couches étant un matériau semi-conducteur (530, 550) appartenant aux groupes III à V porteur d'aluminium, à appliquer des électrodes métalliques (505, 565) à la structure afin d'obtenir une structure semi-conductrice métallisée, et à chauffer la structure métallisée dans un environnement contenant de l'eau afin de transformer une partie du matériau semi-conducteur des groupes III à V porteur d'aluminium en un oxyde d'aluminium naturel (581, 582).
Holonyak Nick Jr.
Kish Fred A.
Maranowski Steven A.
Goudreau Gage Dubuc
The Board Of Trustees Of The University Of Illinois
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1841042