H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/88 (2006.01) H01S 5/00 (2006.01) H01S 5/183 (2006.01) H01S 5/20 (2006.01) H01S 5/32 (2006.01) H01S 5/22 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2297037
Semiconductor devices and methods are disclosed in which the amount of p-type material can be minimized, with attendant advantages in electrical, thermal, and optical performance, and in fabrication. A form of the disclosure is did to a generally planar semiconductor device wherein a layer of p-type semiconductor material (122, 119, 126) is disposed over a layer of n-type semiconductor material (105, 107, 110), and an electric potential is coupled between the p-type layer and the n-type layer, and wherein current in the device that is lateral to the plane of the layers is coupled into the p-type layer. A tunnel junction is adjacent the p-type layer for converting the lateral current into hole current. In an embodiment of this form of the disclosure, the tunnel junction is as an n+/p+ (132, 131) junction oriented with the p+ (131) portion thereof adjacent the p-type layer. The lateral current can be electron current in the n+ layer (132) and/or electron current in a further layer of n-type material disposed over the tunnel junction.
On décrit des procédés et des dispositifs à semi-conducteurs dans lesquels on peut réduire au maximum la quantité de matériaux du type p, ceci présentant des avantages concomitants au niveau de la performance électrique, thermique et optique et au niveau de la fabrication. Une forme de réalisation de l'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs globalement plat dans lequel une couche de matériau (122, 119, 126) semi-conducteur du type p est placée au-dessus d'une couche de matériau (105, 107, 110) semi-conducteur du type n, et dans lequel un potentiel électrique est couplé entre la couche du type p et la couche du type n; le courant dans le dispositif qui est latéral par rapport au plan des couches étant couplé dans la couche du type p. Une jonction à effet tunnel est adjacente à la couche du type p pour transformer le courant latéral en courant de fenêtre. Dans une forme de réalisation de cette version de l'invention, la jonction à effet tunnel est une jonction n+/p+ (132, 131) orientée avec la partie p+ (131) de cette dernière située à côté de la couche du type p. Le courant latéral peut être un courant d'électrons dans la couche n+ (132) et/ou un courant d'électrons dans une autre couche de matériau du type n située au-dessus de la jonction à effet tunnel.
Evans Peter W.
Holonyak Nick Jr.
Wierer Jonathan J.
Goudreau Gage Dubuc
The Board Of Trustees Of The University Of Illinois
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1366690