Semiconductor devices on diffusion barrier coated substrates...

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H - Electricity

01

L

H01L 49/02 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/26 (2006.01) H01L 21/28 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 23/14 (2006.01)

Patent

CA 2761748

Semiconductor devices on a diffusion barrier coated metal substrates, and methods of making the same are disclosed. The semiconductor devices include a metal substrate, a diffusion barrier layer on the metal substrate, an insulator layer on the diffusion barrier layer, and a semiconductor layer on the insulator layer. The method includes forming a diffusion barrier layer on the metal substrate, forming an insulator layer on the diffusion barrier layer; and forming a semiconductor layer on the insulator layer. Such diffusion barrier coated substrates prevent diffusion of metal atoms from the metal substrate into a semiconductor device formed thereon.

L'invention porte sur des dispositifs à semi-conducteurs sur substrats métalliques revêtus d'une barrière de diffusion, et sur leurs procédés de fabrication. Les dispositifs à semi-conducteurs comprennent un substrat métallique, une couche barrière de diffusion sur le substrat métallique, une couche isolante sur la couche barrière de diffusion, et une couche semi-conductrice sur la couche isolante. Le procédé consiste à former une couche barrière de diffusion sur le substrat métallique, former une couche isolante sur la couche barrière de diffusion ; et former une couche semi-conductrice sur la couche isolante. De tels substrats revêtus d'une barrière de diffusion empêchent une diffusion d'atomes métalliques du substrat métallique dans un dispositif à semi-conducteurs formé sur celui-ci.

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