Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor...

Details Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor... Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor...

H - Electricity

01

L

H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)

Patent

CA 2722942

Semiconductor devices are described wherein current flow in the device is confined between the rectifying junctions (e.g., p-n junctions or metal-semiconductor junctions). The device provides non-punch-through behavior and enhanced current conduction capability. The devices can be power semi-conductor devices as such as Junction Field-Effect Transistors (VJFETs), Static Induction Transistors (SITs), Junction Field Effect Thyristors, or JFET current limiters. The devices can be made in wide bandgap semiconductors such as silicon carbide (SiC). According to some embodiments, the device can be a normally-off SiC vertical junction field effect transistor. Methods of making the devices and circuits comprising the devices are also described.

La présente invention concerne des dispositifs semi-conducteurs dans lesquels une circulation de courant dans le dispositif est confinée entre les jonctions de redressement (par exemple, des jonctions p-n ou des jonctions métal-semi-conducteur). Le dispositif présente un comportement à base homogène (ran-punch-Enough (NPT)) et une capacité de conduction de courant améliorée. Les dispositifs peuvent être des dispositifs à semi-conducteurs de puissance tels que des transistors à effet de champ à jonctions (VJFET), des transistors à induction statique (SIT), des thyristors à effet de champ à jonctions, ou des limiteurs de courant JFET. Les dispositifs peuvent être réalisés avec des semi-conducteurs à bande interdite large, tels que le carbure de silicium (SiC). Selon certains modes de réalisation, le dispositif peut être un transistor à effet de champ à jonctions verticales SiC normalement bloqué. Des procédés de fabrication des dispositifs et des circuits comprenant les dispositifs sont également décrits.

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