Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor...

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H - Electricity

01

L

H01L 29/80 (2006.01) H01L 21/337 (2006.01)

Patent

CA 2729194

Semiconductor devices are described wherein current flow in the device is confined between the rectifying junctions (e.g., p-n junc-tions or metal-semiconductor junctions). The device provides non-punch--through behavior and enhanced current conduction capability. The devices can be power semiconductor devices as such as Junction Field-Effect Transistors (VJFETs), Static Induction Transistors (SITs), Junction Field Effect Thyristors, or JFET current limiters. The devices can be made in wide bandgap semiconductors such as silicon carbide (SiC). According to some embodiments, the device can be a normally-off SiC vertical junction field effect transistor. Methods of making the devices and circuits compris-ing the devices are also described.

L'invention porte sur des dispositifs à semi-conducteurs, un flux de courant dans le dispositif étant confiné entre les jonctions de redressement (par exemple des jonctions p-n ou des jonctions métal-semi-conducteur). Le dispositif fournit un comportement de type non à pénétration et une capacité de conduction du courant améliorée. Les dispositifs peuvent être des dispositifs à semi-conducteurs de puissance tels que des transistors à effet de champ à jonctions (VJFET), des transistors à induction statique (SIT), des thyristors à effet de champ à jonctions ou des limiteurs de courant JFET. Les dispositifs peuvent être faits dans des semi-conducteurs à large écart énergétique tels que du carbure de silicium (SiC). Selon certains modes de réalisation, le dispositif peut être un transistor à effet de champ à jonction verticale SiC normalement bloqué. L'invention porte également sur des procédés de fabrication des dispositifs et sur des circuits comportant les dispositifs.

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