H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/76 (2006.01) H01L 29/861 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01)
Patent
CA 2278308
Semiconductor diodes having a low forward volt-age conduction drop, a low reverse leakage current and a high voltage capability suitable for use in in-tegrated circuits as well as for discrete devices. The semiconductor diodes are fabricated as field effect de-vices having a common gate and drain connection by a process which provides very short channels, shallow drain regions and longitudinally graded junctions. Con-tinuation of the gate/drain contact layer over specially located tapered edge field oxide (34) maximizes the breakdown voltages of the devices. The preferred fab-rication technique utilizes four masking steps, all with-out any critical mask alignment requirements. Various embodiments are disclosed.
L'invention concerne des diodes à semiconducteur fonctionnant avec une faible chute de tension directe, un faible courant inverse, et une capacité haute tension, pouvant être utilisées efficacement dans des circuits intégrés ainsi que dans des dispositifs discrets. Lesdites diodes à semiconducteur comportent une grille et un raccordement de drain communs; elles sont fabriquées sous forme de dispositifs à effet de champ selon un procédé qui produit des canaux très courts, des régions de drain peu profondes et des jonctions longitudinales graduées. Le maintien de la couche de contact grille/drain sur un oxyde épais (34) à bord biseauté spécialement disposé optimise les tensions de claquage desdits dispositifs. Les techniques de fabrication préférées mettent en oeuvre quatre étapes de masquage dont aucune n'est soumise à des exigences essentielles d'alignement des masques. Diverses formes de réalisation sont décrites.
Metzler Richard A.
Rodov Vladimir
Array Optronix Inc.
Luminous Intent Inc
Riches Mckenzie & Herbert Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2006002