Semiconductor drive device

H - Electricity – 02 – M

Patent

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Details

H02M 1/00 (2007.10) H02M 1/08 (2006.01) H03K 17/08 (2006.01) H03K 17/56 (2006.01)

Patent

CA 2750896

When there is a short circuit failure between the gate and emitter of a main switching element such as an IGBT, the temperature of a turn-on gate resistor or turn-off gate resistor is detected by a thermistor, and a drive circuit is protected by turning off a turn-on gate drive switching element or a turn-off gate drive switching element. Furthermore, instead of detecting the temperature of the turn-on gate resistor or turn-off gate resistor, a thermistor is connected in series with the turn-on gate drive switching element or turn-off gate drive switching element, the resistance change corresponding to a change in temperature of the thermistor is detected, and the drive circuit is protected by turning off the turn-on gate drive switching element or turn-off gate drive switching element.

L'invention porte sur un dispositif d'attaque semi-conducteur dans lequel un circuit d'attaque est protégé par détection de la température d'une résistance sur la grille ou celle d'une résistance hors de la grille au moyen d'une thermistance, et blocage d'un élément de commutation d'attaque sur la grille ou d'un élément de commutation d'attaque hors de la grille lorsque d'une défaillance de court-circuit se produit entre la grille et l'émetteur d'un élément de commutation principal, tel qu'un transistor IGBT. En outre, au lieu de détecter la température de la résistance sur la grille ou celle de la résistance hors de la grille, le circuit d'attaque peut être protégé par connexion en série de la thermistance à l'élément de commutation d'attaque sur la grille ou l'élément de commutation d'attaque sur la grille, et par détection d'un changement de la résistance de la thermistance dû à un changement de température, et blocage de l'élément de commutation d'attaque sur la grille ou de l'élément de commutation d'attaque hors de la grille.

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