H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/0352 (2006.01) H01L 31/105 (2006.01)
Patent
CA 2232084
Disclosed is a semiconductor heterostructure radiation detector leaving two adjacent semiconductor layer regions sensitive in different spectral ranges, in which regions photons having different energies respectively can be absorbed, which photons optically excite charge carriers present in the semiconductor layer regions in such a manner that a photo current can be generated in the respective semiconductor layer regions in dependence on an external electric voltage applied via electrodes provided at the semiconductor heterostructure. The present invention is distinguished by the fact that the one semiconductor region is a photodiode and the other a quantum well intersubband photodetector.
L'invention concerne un détecteur de rayonnement à hétérostructure de semi-conducteur, comprenant deux zones de couche de semi-conducteur adjacentes, sensible dans des zones spectrales différentes, dans lesquelles des photons ayant chacun une énergie différente peuvent être absorbés et excitent optiquement des porteurs de charge présents dans les zones de couche de semi-conducteur de sorte qu'un courant photo-électrique peut être généré dans chaque zone de couche de semi-conducteur en fonction d'une tension électrique extérieure appliquée par l'intermédiaire d'électrodes prévues sur l'hétérostructure de semi-conducteur. L'invention se caractérise en ce qu'une zone de couche de semi-conducteur est constituée d'une photodiode et que l'autre est formée par un photodétecteur à puits quantiques et couches inter-sous-bande.
Schneider Harald
Schonbein Clemens
Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung
Kirby Eades Gale Baker
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2011140