Semiconductor laser

H - Electricity – 01 – S

Patent

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Details

H01S 5/10 (2006.01) H01S 5/028 (2006.01) H01S 5/343 (2006.01) H01S 5/20 (2006.01) H01S 5/323 (2006.01) H01S 5/34 (2006.01)

Patent

CA 2339955

A semiconductor laser has a laminated structure of semiconductor material that includes an active layer having a quantum well structure. The laminated structure has high-reflectivity film on one end and low-reflectivity film on the other end. The laser has a resonator length (L) of longer than 1200 µm, large kink current, and a current-optical output characteristic with desired linearity. The laser is useful as a light source for excitation of an optical fiber amplifier.

Un laser à semi-conducteur possède une structure stratifiée en matériau semi-conducteur, constituée d'une couche active à structure à puits quantique. La structure stratifiée possède à une extrémité un film à pouvoir réflecteur élevé et un film à pouvoir réflecteur faible à l'autre extrémité. Ledit laser présente une longueur (L) de résonance supérieure à 1 200 µm, un courant de foret intensité à instabilité de kink et des caractéristiques de sortie optique-courant présentant la linéarité voulue. Ledit laser est utile en tant que source lumineuse pour l'excitation d'un amplificateur à fibre optique.

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