H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/183 (2006.01) H01L 27/15 (2006.01) H01L 29/772 (2006.01) H01L 31/12 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01S 5/42 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2533661
An optoelectronic integrated circuit comprises a substrate, a multilayer structure formed on the substrate, and an array of thyristor devices and corresponding resonant cavities formed in the multilayer structure. The resonant cavities, which are adapted to process different wavelengths of light, are formed by selectively removing portions of said multilayer structure to provide said resonant cavities with different vertical dimensions that correspond to the different wavelengths. Preferably, that portion of the multilayer structure that is selectively removed to provide the multiple wavelengths includes a periodic substructure formed by repeating pairs of an undoped spacer layer and an undoped etch stop layer. The multilayer structure may be formed from group III-V materials. In this case, the undoped spacer layer and undoped etch stop layer of the periodic substructure preferably comprises undoped GaAs and undoped AlAs, respectively. The undoped AlAs functions as an etch stop during etching by a chlorine-based gas mixture that includes fluorine. The array of multi-wavelength thyristor devices may be used to realize devices that provide a variety of optoelectronic functions, such as an array of thyristor-based lasers that emit light at different wavelengths and/or an array of thyristor-based detectors that detect light at different wavelengths (e.g., for wavelength-division-multiplexing applications).
L'invention concerne un circuit intégré optoélectronique comprenant un substrat, une structure multicouche formée sur ce substrat, et un agencement de dispositifs de thyristor, et des cavités résonantes correspondantes formées dans la structure multicouche. Les cavités résonantes, qui sont conçues pour traiter des longueurs d'onde de lumière différentes sont formées par le retrait sélectif de parties de la structure multicouche, pour obtenir des cavités résonantes présentant différentes dimensions verticales correspondant aux différentes longueurs d'onde. De préférence, la partie de la structure multicouche qui est sélectivement retirée pour obtenir plusieurs longueurs d'onde comprend une sous-structure périodique formée par la répétition de paires d'une couche d'espacement non dopée et d'une couche d'arrêt d'attaque non dopée. Cette structure multicouche peut être formée à partir de matériaux du groupe III-IV. Dans ce cas, la couche d'espacement non dopée et la couche d'arrêt d'attaque non dopée de la sous-structure périodique comprennent de préférence respectivement du GaAs non dopé et du AlAs non dopé. Le AlAs non dopé fonctionne en tant qu'arrêt d'attaque, lors de l'attaque par un mélange gazeux comprenant du fluorure. L'agencement de dispositifs de thyristor multi-longueurs d'onde peut être utilisé pour fabriquer des dispositifs permettant d'obtenir une variété de fonctions optoélectroniques, notamment un agencement de lasers à base de thyristors, émettant de la lumière à différentes longueurs d'onde et/ou un agencement de détecteurs à base de thyristor, détectant de la lumière à différentes longueurs d'onde (par exemple, pour des applications de multiplexage par division de longueurs d'onde).
Duncan Scott W.
Taylor Geoff W.
Opel Inc.
Smart & Biggar
The University Of Connecticut
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1351200