Semiconductor laser device

Details Semiconductor laser device Semiconductor laser device

H - Electricity

01

S

H01S 3/05 (2006.01) H01S 5/223 (2006.01) H01S 5/20 (2006.01) H01S 5/22 (2006.01) H01S 5/343 (2006.01)

Patent

CA 2203117

The present invention is directed to a semiconductor laser device comprising, as shown in Fig. 1, on a buffer layer 32 of n-GaAs, a clad layer 31, a wave guide layer 30 and a carrier block layer 29 of n-AlGaAs, a side barrier layer 28 of non-doped AlGaAs, an active layer 27 which is formed by two non-doped GaAs quantum well layers and a barrier layer of AlGaAs, a side barrier layer 26 of non-doped AlGaAs, a carrier block layer 25, a wave guide layer 23 and a clad layer 22 of p-AlGaAs, and a cap layer 21 of p-GaAs in this order. Inside the wave guide layer 23, current narrowing layers 24 having a lower refractive index and higher A1- composition than that of the wave guide layer are formed to sandwich a stripe-shaped active region 34. This creates a refractive index difference between the active region 34 and buried regions 33 in which each of the current narrowing layers 24 exists, thereby forming a refractive index guide structure. Thus, it is possible to obtain a high-output semiconductor laser device of the refractive index guided type which is easy to manufacture.

Sur une couche tampon (32) de n-GaAs, on forme dans l'ordre indiqué par la figure: une couche d'habillage (31) de n-AlGaAs, une couche de guide d'ondes (30), une couche à bloc de support (29), une couche latérale d'arrêt (28) d'AlGaAs non dopé, une couche active (27) comportant deux couches de puits quantiques de GaAs non dopé et une couche d'arrêt d'AlGaAs, une couche latérale d'arrêt (26) d'AlGaAs non dopé, une couche à bloc de support (25) de p-AlGaAs, une couche de guide d'ondes (23), une couche d'habillage (22) et une couche de couverture (21) de p-GaAs. La couche de guide d'ondes comporte des couches de limitation de courant (24) à faible indice de réfraction du fait de sa teneur en aluminium supérieure à celle de la couche de guide d'ondes (23) qui prend en sandwich la bande que constitue la région active (34). Il se produit ainsi une différence d'indice de réfraction entre la région active (34) et une région enfouie (33) où se trouvent les couches de limitation de courant (24) ce qui conduit à la formation d'une structure de guide d'ondes à indice de réfraction. On obtient ainsi un laser à semi-conducteur du type à guide d'ondes à indice de réfraction, à fort rendement et facile à fabriquer.

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