Semiconductor laser device

Details Semiconductor laser device Semiconductor laser device

H - Electricity

01

S

H01S 5/20 (2006.01) H01S 5/32 (2006.01) H01S 5/34 (2006.01) H01S 3/18 (1995.01)

Patent

CA 2138912

To overcome the dilemma on device design in control of waveguide mode experienced in the conventional weak wave-guide-laser and SCH structure laser, realize higher output and lower dispersion of radiation beam, and improve the waveguide mode, on both sides of an active layer, carrier blocking layers for reducing the waveguide function of the active layer are provided, and waveguide layers are provided on both outer sides of the carrier blocking layers, and cladding layers are provided on both outer sides of the waveguide layers, the active layer is lamination of side barrier layers and a quantum well layer sandwiched therebetween, or side barrier layers, and a quantum well layer and a barrier layer sandwiched therebetween, the composition of the quantum well layer is Ga y In1-y As (0.6<y<1.0), and the carrier blocking layers are made of a material having a wider band gap and a lower refractive index than the material of the waveguide layers.

Pour surmonter les problèmes se rapportant au mode de guidage dans les lasers à éthéro-structure à confinement séparé courants, obtenir un faisceau de rayonnement plus puissant à dispersion moindre et améliorer le mode de guidage, des couches de blocage de porteurs sont utilisées de part et d'autre de la couche active pour réduire l'effet de guidage produit par la couche active, des couches de guidage sont construites sur les deux côtés extérieurs des couches de blocage de porteurs et des couches de blindage sont construites sur les côtés extérieurs des couches de guidage, la couche active étant constituée par une couche à puits quantiques construite entre des couches barrières latérales ou par une couche à puits quantiques et une couche barrière construite entre des couches barrières latérales, la composition de cette couche à puits quantiques étant décrite par GayIn1-yAs (0,6 < y < 1,0), et les couches de blocage de porteurs étant faites d'un matériau dont la bande interdite et l'indice de réfraction sont plus large et plus petit respectivement que la bande interdite et l'indice de réfraction du matériau utilisé pour les couches de guidage.

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