H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/20 (2006.01) H01S 5/30 (2006.01) H01S 5/32 (2006.01)
Patent
CA 2208999
As shown in Fig. 1, on a semiconductor substrate 20 formed in sequence are a second n-type clad layer 11, a first n-type clad layer 12, an n-type carrier blocking layer 13, an active layer 14, a p-type carrier blocking layer 15, a first p-type clad layer 16, a second p-type clad layer 17, a current constriction layer 18, and a p-type contact layer 19. The carrier blocking layers 13 and 15 are doped to a high doping concentration of more than 1x10 18cm -3. The first clad layers 12 and 16 and the second clad layers 11 and 17 are doped to a low doping concentration of less than 3x10 17cm -3. The p-type carrier blocking layer 15 is doped with carbon or magnesium which is low in the diffusivity. Accordingly, the carriers are successfully confined in the active layer 14 thus to suppress the internal loss and the electrical resistance, whereby a high-efficiency, high-output semiconductor laser device can be obtained.
Une seconde couche d'enrobage de type n (11), une première couche d'enrobage de type n (12), une couche de type n (13) de blocage de porteurs, une couche active (14), une couche de type p (15) de blocage de porteurs, une première couche d'enrobage de type p (16), une seconde couche d'enrobage de type p (17), une couche de confinement de courant (18) et une couche de contact de type p (19) sont formées sur un substrat semi-conducteur (20) (Fig. 1). Les concentrations de dopant des couches (13, 15) de blocage de porteurs sont supérieures à 1 x 10<18> cm<-3> et celles des premières couches d'enrobage (12, 16) et des secondes couches d'enrobage (11, 17) sont inférieures à 3 x 10<17> cm<-3>. On utilise, à titre de dopant de la couche (15) de blocage de porteurs, du carbone ou du magnésium ayant une faible diffusivité. Par conséquent, les porteurs sont entièrement confinés à l'intérieur de la couche active (14), et les pertes internes et la résistance électrique sont faibles, ce qui permet d'obtenir un élément de laser à semi-conducteur à rendement élevé.
Fujimoto Tsuyoshi
Naito Yumi
Kirby Eades Gale Baker
Mitsui Chemicals Incorporated
Mitsui Petrochemical Industries Ltd.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1657075