H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/22 (2006.01) H01S 5/227 (2006.01) H01S 5/323 (2006.01) H01S 5/10 (2006.01) H01S 5/20 (2006.01)
Patent
CA 2411445
A semiconductor laser device comprises a laminate consisting of a semiconductor layer of first conductivity type, an active layer and a semiconductor layer of second conductivity type different from the first conductivity type. The two semiconductor layers and the active layer are stacked with a waveguide region formed to guide a light beam perpendicular to the width by restricting the light from spreading in the direction of width in the active layer. The waveguide region has first and second waveguide regions. The first waveguide region is a region where light is confined within the limited active layer by a difference in the refractive index between the active layer and the regions on both sides of the active layer by limiting the width of the active layer. The second waveguide region is a region where the light is confined by providing effective difference in refractive index in the active layer.
L'invention concerne un dispositif laser qui peut osciller dans un mode transversal stable et qui peut émettre un faisceau laser de haute qualité dans le diagramme de champ lointain. Un premier dispositif laser à semi-conducteur comprend une structure multicouche dans laquelle une couche semi-conductrice d'un premier type de conductivité, une couche active et une couche semi-conductrice d'un second type de conductivité différente de la première sont formées dans cet ordre. Ce dispositif comprend également une zone guide d'ondes formée à l'intérieur et près de la couche active pour guider le faisceau laser dans une direction perpendiculaire à celle de la largeur en limitant la divergence du faisceau dans le sens de la largeur. Cette zone guide d'ondes comprend une première zone guide d'ondes et une seconde zone guide d'ondes. Dans la première, le faisceau est confiné à l'intérieur de la couche active à cause de la différence dans les indices de réfraction entre la couche active et les zones des deux côtés par limitation de la largeur de la couche active ; et dans la seconde, le faisceau est confiné en établissant une différence efficace des indices de réfraction dans la couche active.
Kirby Eades Gale Baker
Nichia Corporation
LandOfFree
Semiconductor laser device, and method of manufacturing the... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Semiconductor laser device, and method of manufacturing the..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Semiconductor laser device, and method of manufacturing the... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1669333