Semiconductor laser device and semiconductor laser module...

Details Semiconductor laser device and semiconductor laser module... Semiconductor laser device and semiconductor laser module...

H - Electricity

01

S

H01S 5/10 (2006.01) H01S 5/024 (2006.01) H01S 5/028 (2006.01) H01S 5/14 (2006.01) H01S 5/34 (2006.01) H01S 5/022 (2006.01)

Patent

CA 2326723

A semiconductor laser in which a semiconductor multilayer structure having an active layer and being a strained multiplex quantum well structure is formed over a substrate (1) the cavity length L is 1,000 µm or more and 1,800 µm or less, a low reflectivity film (S1) having a reflectivity of 3 % or less is formed on one end face, and a high reflectivity film (S2) having a reflectivity of 90 % or more is formed on the other end face. A semiconductor module has a structure in which such a semiconductor laser is mounted on a cooling unit comprising forty pairs or more of Peltier elements electrically alternately arranged and two ceramic sheets vertically sandwiching the Peltier elements, and the semiconductor laser and the cooling unit are packaged. In an optical fiber assembled, a diffraction grating having a reflection band width of 1.5 nm or less is incorporated.

L'invention concerne un laser à semiconducteur que l'on obtient en formant, d'une part, une structure multicouche de semiconducteurs comportant une couche active, et une structure de puits quantiques multiplex à contrainte sur un substrat (1), la longueur L de la cavité étant comprise entre 1000 µm au moins et 1800 µm au plus, d'autre part, un film (S¿1?) à faible réflectivité ayant une réflectivité de 3 % au plus sur l'une des faces d'extrémité, et enfin un film (S¿2?) à haute réflectivité ayant une réflectivité de 90 % au moins sur l'autre face d'extrémité. L'invention concerne également un module de semiconducteur comprenant un laser à semiconducteur de ce type monté sur une unité de refroidissement comprenant quarante paires au moins d'éléments à effet Peltier disposés en alternance électrique, et deux feuilles céramiques prises verticalement en sandwich entre les éléments à effet Peltier. Le laser à semiconducteur et l'unité de refroidissement sont encapsulés. Pour l'assemblage d'une fibre optique, on ajoute un réseau de diffraction ayant une bande de réflexion inférieure ou égale à 1,5 nm.

Affiliated with

Also associated with

Rating

Semiconductor laser device and semiconductor laser module... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.

If you have personal experience with Semiconductor laser device and semiconductor laser module..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Semiconductor laser device and semiconductor laser module... will most certainly appreciate the feedback.

Rate now

Comments { 0 }

Profile ID: LFCA-PAI-O-1502410