Semiconductor laser element having a diverging region

Details Semiconductor laser element having a diverging region Semiconductor laser element having a diverging region

H - Electricity

01

S

H01S 5/10 (2006.01) H01S 5/22 (2006.01) H01S 5/042 (2006.01) H01S 5/20 (2006.01)

Patent

CA 2395309

A semiconductor ridge laser for coupling to a single-mode optical fiber has a ridge with a narrow parallel region, a diverging region, and then a wide parallel region that is adjacent to an output facet. A pump region for the laser may be less than the entire area of the ridge and have a "T" shape. Preferably, the ridge has a depth of about 350 to 550 nm and the narrow parallel region has a length of more than 0.4 times the overall length of the ridge. The wide parallel region at the output enables the laser to obtain low thermal resistance, which leads to a low operating temperature, a low power density in the laser cavity, and low astigmatism.

La présente invention concerne un laser à arête destiné au couplage sur une fibre optique mono-mode. Son arête se distingue par une zone parallèle étroite, une zone divergeante, et une zone parallèle large, adjacente d'une facette de sortie. Une zone de pompage pour le laser peut être inférieure à toute la surface de l'arête et présenter une forme en T. La profondeur de l'arête est de préférence comprise entre 250 et 550 nm, la longueur de la zone parallèle étroite étant supérieure à 0,4 fois la longueur hors tout de l'arête. La zone parallèle large de la sortie confère au laser une faible résistance thermique, ce qui se retrouve par une basse température de fonctionnement, une faible densité d'énergie dans la cavité du laser, et un faible astigmatisme.

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