Semiconductor laser module

Details Semiconductor laser module Semiconductor laser module

H - Electricity

01

S

H01S 5/125 (2006.01) H01S 5/14 (2006.01)

Patent

CA 2326188

A semiconductor laser module (1) of external cavity type in which a GaAs/AlGaAs semiconductor laser (2) having ripples in the gain wavelength characteristic and an optical transmission medium (3) having a Bragg grating (3c) are optically coupled together by optical coupling means (4). The gain peak wavelength (.lambda.(Ith)) of when the semiconductor laser module is driven by a threshold current (Ith) is shorter than the reflection center wavelength (.lambda.BG) of the Bragg grating; the gain peak wavelength (.lambda.(Iop)) of the semiconductor laser in the case of the maximum operating current (Iop) is longer than the gain peak wavelength (.lambda.(Ith)). The detuning width (.lambda.detun) of the semiconductor laser is smaller than the pull-in width (.lambda.PULL) of the semiconductor laser, and the difference (=.lambda.PULL-.lambda.detun) is larger than the full width at half maximum of the reflection spectrum of the Bragg grating. The gain peak wavelength (.lambda.(Ith)) is longer than the limit value (.lambda.LIMIT).

Un module laser à semi-conducteur (1) du type à cavité externe, dans lequel un laser à semi-conducteur GaAs/AlGaAs (2) dont la caractéristique longueur d'onde/gain présente des ondulations résiduelles, et un support de transmission optique (3) doté d'un réseau de Bragg (3c) sont couplés optiquement l'un à l'autre par des moyens de couplage optique (4). La longueur d'onde crête/gain (.lambda.(Ith)) mesurée lorsque le module laser à semi-conducteur est attaqué par un courant de seuil (Ith) est plus courte que la longueur d'onde centrale de réflexion (.lambda.BG) du réseau de Bragg ; la longueur d'onde crête/gain (.lambda.(Iop)) du laser à semi-conducteur dans le cas du courant de fonctionnement maximum (Iop) est plus longue que la longueur d'onde crête/gain (.lambda.(Ith)). La largeur de désaccord (.lambda.désac) du laser à semi-conducteur est inférieure à la largeur de synchronisation (.lambda.SYNC) du laser à semi-conducteur, et la différence (=.lambda.SYNC-.lambda.désac) est supérieure à la largeur totale, à la moitié du maximum du spectre de réflexion du réseau de Bragg. La longueur d'onde crête/gain (.lambda.(Ith)) est plus longue que la valeur limite (.lambda.LIMITE).

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