Semiconductor laser module

Details Semiconductor laser module Semiconductor laser module

H - Electricity

01

S

H01S 5/14 (2006.01) H01S 5/028 (2006.01)

Patent

CA 2285046

A semiconductor laser module (1) comprising a laser element (2) having an emission surface (2a) of excitation radiation and a reflection surface (2b) opposed to the emission surface, and an optical feedback medium (3) in which the major part of optical power from the emission surface (2a) is returned to the semiconductor laser element (2) by coupling means (4) while a part of the power from the emission surface is output. The emission surface (2a) of the semiconductor laser element (2) is coated with a low-reflection multilayer (2c) with a reflectivity of 10-4 % to 10 %. The low-reflection multilayer (2c) has a reflection spectrum characteristic curve that takes a maximum at the center frequency and minimums near both sides.

Ce module de laser à semi-conducteur (1) comprend un élément laser (2) ayant une surface d'émission (2a) émettant un rayonnement d'excitation, et une surface de réflexion (2b) opposée à la surface d'émission, ainsi qu'un milieu de renvoi optique (3), dans lequel la majeure partie de la puissance optique provenant de la surface d'émission (2a) est renvoyée à l'élément laser à semi-conducteur (2) par un moyen de couplage (4), tandis qu'une partie de la puissance provenant de la surface d'émission est diffusée en sortie. La surface d'émission (2a) de l'élément laser à semi-conducteur (2) est recouverte d'une multicouche à faible réflexion (2c) ayant une réflectivité comprise entre 10?-4¿ % et 10 %. Cette multicouche à faible réflexion (2c) possède une courbe de caractéristique du spectre de réflexion ayant un maximum à la fréquence centrale et des minimums à proximité des deux côtés.

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