H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/14 (2006.01) H01S 3/067 (2006.01) H01S 3/094 (2006.01) H01S 5/024 (2006.01) H01S 5/40 (2006.01)
Patent
CA 2369507
A semiconductor laser module in which the optical output power is high, kink in current-optical output power characteristic is suppressed, and a laser beam of narrow spectral line width is outputted, and a high-power pumping light source using the laser beam that is wavelength-division-muliplexed are provided. The semiconductor laser module comprises a Fabry-Perot semiconductor laser element having a cavity length of 1800 ?m or larger and a fibergrating optically coupled to the semiconductor laser element, wherein the reflection bandwidth of the fibergrating is 3 nm or smaller and is larger than the wavelength interval of the longitudinal mode of the oscillation laser beam from the semiconductor laser element.
L'invention concerne d'une part, un module laser à semiconducteur caractérisé par une puissance de sortie optique élevée, par la suppression de la cassure caractéristique de la puissance de sortie optique selon l'état de la technique, et par la production en sortie d'un faisceau laser à raie spectrale étroite et d'autre part, une source lumineuse de pompage haute puissance utilisant le faisceau laser multiplexé en longueur d'onde. Ledit module laser à semiconducteur comprend un élément laser à semiconducteur du type Fabry-Pérot ayant une longueur de cavité supérieure ou égale à 1800 µm, et un réseau de fibres couplé optiquement à l'élément laser à semiconducteur. Ledit module est caractérisé en ce que la largeur de bande de réflexion du réseau de fibres est inférieure ou égale à 3 nm, tout en étant supérieure à l'intervalle de longueur d'onde du mode longitudinal du faisceau laser à oscillations émis par l'élément laser à semiconducteur.
Aikiyo Takeshi
Koyanagi Satoshi
Tsukiji Naoki
Yoshida Junji
Smart & Biggar
The Furukawa Electric Co. Ltd.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1875070