Semiconductor laser with kink suppression layer

Details Semiconductor laser with kink suppression layer Semiconductor laser with kink suppression layer

H - Electricity

01

S

H01S 5/22 (2006.01) H01S 5/20 (2006.01) H01S 5/223 (2006.01)

Patent

CA 2316830

A kink suppression technique is disclosed in which optical characteristics of a distributed feedback laser diode's resonant cavitiy are controlled to preferentially prevent establishment of higher order lateral modes. This results in increased kink powers and thus the useful power range of the device. Specifically, an optical layer, preferably silicon or titanium, is disposed along the optical axis, on the etched upper cladding layer, and on both sides of the ridge.

La présente invention concerne une technique de suppression des ondulations selon laquelle les caractéristiques optiques d'une cavité résonnante d'une diode laser à rétroaction répartie sont contrôlées afin d'éviter, de préférence, l'établissement de modes latéraux d'ordre supérieur. Il en résulte une plus grande puissance anti-ondulation et une plus grande plage de puissance utile pour le dispositif. Plus spécifiquement, une couche optique, de préférence en siliciure ou en titane, est appliquée le long de l'axe optique, sur la couche de métallisation gravée, et sur les deux faces de la nervure.

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