Semiconductor light-emitting device

Details Semiconductor light-emitting device Semiconductor light-emitting device

H - Electricity

01

S

H01S 5/20 (2006.01) H01S 5/02 (2006.01) H01S 5/343 (2006.01)

Patent

CA 2329810

A semiconductor light-emitting device having a construction for producing a stable optical output and a longitudinal multimode oscillation spectrum with respect to the injection current. A semiconductor light-emitting device (200) is an InGaAs edge-emission light-emitting laser having a 980-nm band and has a multilayer structure including an n-AlGaAs cladding layer (110), an active layer (120), a p-AlGaAs cladding layer (130) and a GaAs cap layer (140), which are epitaxially grown sequentially on an n-GaAs substrate (100). The active layer has a double quantum well two-layer structure composed of an InGaAs layer and a GaAs layer. The upper part of the cladding layer (130) and the cap layer (140) are formed into a mesa stripe shape having a width of 4 µm, and a passivation film (150) of an SiN film is formed all over the surface excepting the top of the mesa (the top of the cap layer). The back (100a) of the substrate of the InGaAs laser is processed into an optically irregularly reflecting face having a continuous irregularity the surface roughness (Rq: root mean square roughness) of which is 100 nm.

L'invention concerne un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs présentant une structure permettant d'obtenir une sortie optique stable et un spectre d'oscillations multimodes longitudinal par rapport au courant d'injection. Le dispositif électroluminescent à semi-conducteurs (200) est un laser électroluminescent InGaAs à émission latérale ayant une bande de 980 nm et une structure multicouches comprenant une couche de métallisation n AlGaAS (110), une couche active (120), une couche de métallisation p AlGaAS (130) et une couche de couverture GaAs (140) qui augmentent de manière épitaxiale et séquentielle sur un substrat n GaAs (100). La couche active présente une structure bicouches à deux puits quantiques constituée d'une couche InGaAs et d'une couche GaAs. La partie supérieure de la couche de métallisation (130) et la couche de couverture (140) sont configurées en bande mesa dont la largeur est de 4 µm. Un film de passivation (150) d'un film SiN est formé sur toute la surface à l'exception du haut de la bande mesa (le haut de la couche de couverture). L'arrière (100a) du substrat de la couche InGaAs est transformé en une face réfléchissante de manière optiquement irrégulière présentant une irrégularité continue. La rugosité de ladite surface (Rq: rugosité en valeur efficace) est de 100 nm.

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