Semiconductor manufacturing moisture generation process

Details Semiconductor manufacturing moisture generation process Semiconductor manufacturing moisture generation process

C - Chemistry, Metallurgy

01

B

C01B 5/00 (2006.01)

Patent

CA 2263510

Process for generating moisture for use in semiconductor manufacturing, the process comprising feeding hydrogen and oxygen into a reactor provided with a platinum-coated catalyst layer on an interior wall, thus enhancing the reactivity between hydrogen and oxygen by catalytic action and instantaneously reacting the reactivity- enhanced hydrogen and oxygen at a temperature below the ignition point to produce moisture without undergoing combustion at a high temperature, wherein the amount of unreacted hydrogen occurring in the generated moisture in starting up or terminating the moisture generating reaction is minimized and wherein undesired reactions such as undesired silicon oxide film coating are avoided. When the generation of moisture is started up by feeding hydrogen and oxygen into the reactor provided with a platinum- coated catalyst layer on the inside wall thereof, oxygen first starts to be fed and, some time after that, the supply of hydrogen is begun. In terminating the moisture generating operation by cutting off the supply of hydrogen and oxygen into the reactor, the feeding of hydrogen is first stopped and, some time after that, the supply of oxygen is shut off.

L'invention concerne un procédé de production d'eau utile dans la fabrication de semiconducteurs, qui comporte les étapes consistant à charger de l'hydrogène et de l'oxygène dans un corps de réacteur dont la surface de la paroi intérieure présente un revêtement en platine qui permet d'élever la réactivité de l'hydrogène et de l'oxygène par l'action catalytique du platine; et faire réagir instantanément l'un sur l'autre l'hydrogène et l'oxygène obtenus à une température inférieure à la température d'inflammation du gaz mélangé renfermant de l'hydrogène, de façon à produire de l'eau sans obtenir de combustion à haute température; on réduit la quantité d'hydrogène qui n'a pas donné lieu à une réaction, et qui reste dans l'eau produite lorsque le réacteur de production d'eau est mis en marche ou arrêté, pour permettre d'améliorer la sécurité de l'appareil de production de semiconducteurs, et prévenir ainsi l'inhibition de dépôt de film d'oxyde de silicium, par exemple, provoquée par le procédé d'oxydation à l'eau. Spécifiquement, lors de la production d'eau par chargement d'hydrogène et d'oxygène dans un corps de réacteur dont la surface de paroi la intérieure présente un revêtement en platine, on charge d'abord l'oxygène, puis un peu plus tard l'hydrogène. Lorsqu'on arrête la production d'eau par interruption de l'alimentation en hydrogène et en oxygène vers le corps de réacteur, on coupe d'abord l'alimentation en hydrogène, puis un peu plus tard l'alimentation en oxygène.

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Profile ID: LFCA-PAI-O-1684171