Semiconductor memory device

Details Semiconductor memory device Semiconductor memory device

G - Physics

11

C

G11C 16/02 (2006.01) B41J 2/175 (2006.01) B41J 29/38 (2006.01)

Patent

CA 2610061

When the value of an input write data is equal to or greater than the value of existing data in a memory array (100), a semiconductor storage apparatus (10) permits a writing of th input write data into the memory array (100). Specifically, an increment controller (150) reads the existing data from the memory array (100) and compares it with the write data latched in an 8-bit latch register (170). When the value of the write data is equal to or greater than the value of the existing data, the increment controller (150) outputs a write permission signal (WEN1) to a write/read controller (140), thereby executing the writing of the write data, which is latched in the 8-bit latch register (170), into the memory array (100).

L'invention concerne un dispositif de stockage à semi-conducteur (10) permettant, lorsque la valeur de données d'entrée est supérieure ou égale à la valeur de données existantes d'une zone mémoire (100), d'écrire les données d'entrée dans la zone mémoire (100). Plus précisément, un gestionnaire d'incrément (150) lit les données existantes de la zone mémoire (100) et les compare aux données d'entrée stockées dans un registre mémoire 8 bits (170). Si la valeur des données d'entrée est supérieure ou égale à celle des données existantes, le gestionnaire d'incrément (150) produit un signal d'autorisation d'écriture (WEN1) destiné à un gestionnaire de lecture/écriture (140) pour effectuer l'écriture des données d'entrée, stockées dans le registre mémoire 8 bits (170), dans la zone mémoire (100).

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