C - Chemistry – Metallurgy – 09 – K
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
09
K
C09K 11/08 (2006.01) A61B 6/00 (2006.01) C09K 11/56 (2006.01) C09K 11/88 (2006.01) G01N 21/64 (2006.01) A61K 49/00 (2006.01)
Patent
CA 2642766
A method of performing high repetition rate laser time domain imaging employs as fluoroprobes semiconductor nanocrystals having a fluorescence lifetime less than the laser pulse separation, typically less than 5ns. The nanocrystals of the invention have a core/shell structure and may be surface treated to increase radiative decay. CdSe/Zns nanocrystals are particularly suitable.
La présente invention concerne un procédé pour réaliser une imagerie du domaine temporel au laser à une fréquence de récurrence élevée, ce procédé mettant en oeuvre des nanocristaux semi-conducteurs de sondes fluorescentes ayant une durée de vie de fluorescence inférieure à la séparation des impulsions laser, généralement moins de 5 ns. Les nanocristaux de l'invention ont une structure à noyau/coquille et peuvent être traités en surface afin d'augmenter la désintégration radioactive. Des nanocristaux de CdSe/Zns sont particulièrement adaptés.
Abulrob Abedelnasser
Yu Kui
Marks & Clerk
National Research Council Of Canada
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2042106