H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 33/00 (2006.01) H01S 3/025 (1995.01) H01S 3/19 (1995.01)
Patent
CA 2055673
A semiconductor optical device comprising a mesa shaped double heterostructure having an active layer on an InP substrate, and pn junction current blocking layers embedded at all sides of the said double heterostructure, wherein at least portion of said current blocking layers consists of a semiconductor layer lattice-matched to InP and having a band gap larger than that of the InP at a room temperature. Therefore, the current blocking characteristics of the current blocking layer is improved so that the increase of leakage current under operating condition of high temperature and high output power is well suppressed, and the nonlinearity in the optical output-current characteristic is drastically reduced even under such operating conditions.
Dispositif optique à semiconducteurs comprenant une hétérostructure double en mesa ayant une couche active sur un substrat d'InP, et des couches de blocage de courant de jonction pn incorporées de tous les côtés de ladite hétérostructure double, au moins une partie desdites couches de blocage de courant consistant en une couche de semiconducteurs associée à l'InP dans une structure en treillis et ayant une largeur de bande interdite supérieure à celle de l'InP à température ambiante. Par conséquent, la caractéristique de blocage de courant de la couche de blocage de courant est améliorée de sorte que l'accroissement du courant de fuite dans des conditions de fonctionnement à haute température et à grande puissance de sortie est supprimé par puits, et la non-linéarité de la caractéristique courant-sortie optique est très fortement réduite même dans de telles conditions de fonctionnement.
Irikawa Michinori
Iwase Masayuki
Ridout & Maybee Llp
The Furukawa Electric Co. Ltd.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1779100