H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 23/14 (2006.01) H01L 23/047 (2006.01) H01L 23/057 (2006.01) H01L 23/367 (2006.01)
Patent
CA 2512845
A semiconductor for power transistors and the like has a heat sink flange with at least one die mounted thereon, a non-ceramic window frame mounted thereon adjacent to the die, and a plurality of leads mounted on the window frame and electrically coupled to the die by wire bonds. The non-ceramic based window frame is thermally matched to copper or other highly conductive material typically used for the flange, to facilitate assembly of the semiconductor package at high temperatures. The non-ceramic based window frame is flexible and is thermally matched to the highly conductive flange so as to expand and contract at a rate similar to the flange to prevent failure during assembly of the semiconductor package. The non-ceramic based material of the window frame includes a matrix of principally organic material, such as polytetrafluorethylene, filled with fibers which may be glass fibers or ceramic fibers. The matrix is clad in a metal such as copper or aluminum, and may be coated with nickel and gold to facilitate bonding of the window frame to the flange and the leads with gold/germanium solder. The window frame may also be bonded to the flange using epoxy. Cladding of the window frame may be performed by laminating copper or other cladding material on the matrix in a sufficient thickness so as to form the flange. The flange may be provided with a pedestal extending upwardly from an upper surface at a central position thereof to define a die attach area and forming a barrier to brazing material used to join the window frame to the flange.
L'invention concerne un boîtier à semiconducteur pour transistors de puissance et similaire, possédant une embase de type puits de chaleur sur laquelle au moins une puce est montée ainsi qu'un cadre de fenêtre à base non céramique, en position adjacente à la puce, et plusieurs broches de raccordement montées sur le cadre de fenêtre et couplées électriquement à la puce par des fils de connexion. Le cadre de fenêtre à base non céramique est adapté thermiquement au cuivre ou à un matériau hautement conducteur généralement utilisé pour l'embase, afin de faciliter l'assemblage du boîtier à semiconducteur à des températures élevées. Ledit cadre est souple et est adapté thermiquement à l'embase hautement conductrice, de sorte qu'il se dilate et se contracte de la même manière que l'embase et que toute défaillance soit empêchée lors de l'assemblage du boîtier à semiconducteur. Le matériau à base non céramique du cadre de fenêtre comprend une matrice en matière principalement organique, telle que du polytétrafluoréthylène, chargée de fibres de verre ou de céramique. La matrice est plaquée de métal, tel que du cuivre ou de l'aluminium, et peut être revêtue de nickel et d'or pour faciliter la liaison du cadre de fenêtre à l'embase et aux broches au moyen d'une brasure d'or/germanium. Le cadre de fenêtre peut également être lié à l'embase avec de l'époxy. Le placage du cadre de fenêtre peut être réalisé par application de cuivre ou d'autre métal de placage sur la matrice en épaisseur suffisante pour que l'embase soit formée. L'embase peut être dotée d'un socle s'étendant vers le haut depuis une surface supérieure au niveau du centre de celle-ci, pour définir une zone de fixation de puce et former une barrière à la matière de brasage utilisée pour joindre le cadre de fenêtre à l'embase.
Garland Paul
Lobsinger Joshua
Luu Linda
Venegas Jeffrey
Blake Cassels & Graydon Llp
Kyocera America Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2025542