G - Physics – 01 – L
Patent
G - Physics
01
L
G01L 1/14 (2006.01) H01L 29/84 (2006.01)
Patent
CA 2561297
In a semiconductor physical quantity sensor of electrostatic capacitance type, mutually facing peripheral areas (bonding areas) of a glass substrate and a silicon substrate are contacted for anodic bonding, while at the same time, both substrates have an anodic bonding voltage applied therebetween so as to be integrated. A fixed electrode is formed on a bonding face-side surface of the silicon substrate, while a movable electrode is formed on a bonding face-side surface of the semiconductor substrate. An equipotential wiring, which short-circuits the fixed electrode to the movable electrode as a countermeasure to discharge in anodic bonding, is formed on the bonding face-side surface of the glass substrate inside the bonding area before the anodic bonding. After the anodic bonding, the equipotential wiring is cut and removed. By manufacturing the sensor in this manner, the fixed electrode of the insulating substrate is made equipotential to the movable electrode of the semiconductor substrate when the insulating substrate is anodically bonded to the semiconductor substrate, thereby preventing discharge from occurring. Accordingly, it is possible to obtain a high bonding strength and desired sensor characteristics without causing bonding voids to occur and a sensor chip to increase in size.
La présente invention concerne un capteur de quantité physique à semi-conducteur capacitif dans lequel les régions périphériques opposées (régions de liaison) d~un substrat en verre et d~un substrat en silicium sont en contact mutuellement pour une liaison anodique et une anode est intégralement liée en appliquant une tension de liaison anodique entre les deux substrats. Une électrode fixe est pourvue sur le côté de la surface de liaison du substrat en verre et une électrode mobile est pourvue sur le côté de la surface de liaison du substrat en silicium. Avant la liaison anodique, un câblage équipotentiel anti-décharge destiné à court-circuiter l~électrode fixe et l~électrode mobile est formé sur le côté de la surface de liaison du substrat en verre à l~intérieur de la région de liaison, le câble équipotentiel étant coupé et retiré après la liaison anodique. Etant donné que le capteur ainsi fabriqué maintient l~électrode fixe sur le côté de substrat isolant et l~électrode mobile sur le côté de substrat semi-conducteur au même potentiel au moment de la liaison anodique du substrat isolant et du substrat semi-conducteur, aucune décharge ne se produit. En conséquence, on peut obtenir une force de liaison élevée et des caractéristiques souhaitées de capteur sans entraîner une génération de lacunes de liaison ni une augmentation de la taille d~une puce de détection.
Furukubo Eiichi
Ishigami Atsushi
Meshii Ryosuke
Sakai Kouji
G. Ronald Bell & Associates
Matsushita Electric Works Ltd.
Panasonic Electric Works Co. Ltd.
LandOfFree
Semiconductor physical quantity sensor of electrostatic... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Semiconductor physical quantity sensor of electrostatic..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Semiconductor physical quantity sensor of electrostatic... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1606171