H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/109 (2006.01) H01L 27/148 (2006.01)
Patent
CA 2634048
A semiconductor radiation detector comprises a bulk layer of semiconductor material, and on a first surface of the bulk layer in the following order: a modified internal gate layer of semiconductor of second conductivity type, a barrier layer of semiconductor of first conductivity type and pixel dopings of semiconductor of the second conductivity type. The pixel dopings are adapted to be coupled to at least one pixel voltage in order to create pixels corresponding to pixel dopings. The device comprises a first conductivity type first contact. Said pixel voltage is defined as a potential difference between the pixel doping and the first contact. The bulk layer is of the first conductivity type. On a second surface of the bulk layer opposite to the first surface, there is noconductive back side layer that would transport secondary charges outside the active area of the device or function as the radiation entry window.
L'invention concerne un dispositif de détection de rayonnements de semi-conducteurs, comprenant une couche substrat d'un matériau à semi-conducteurs, et sur la première surface de la couche substrat, dans l'ordre suivant, une couche gâchette interne modifiée d'un semi-conducteur d'un second type de conductivité, une couche barrière d'un semi-conducteur d'un premier type de conductivité et des dopages de pixels d'un semi-conducteur d'un second type de conductivité. Les dopages de pixels sont conçus pour être couplés à au moins une tension de pixel pour créer des pixels correspondant aux dopages de pixels. Le dispositif comprend un premier contact d'un premier type de conductivité. Ladite tension de pixel est définie comme une différence de potentiel entre le dopage de pixel et le premier contact. La couche substrat est d'un premier type de conductivité. Une seconde surface de la couche substrat opposée à la première surface ne comprend pas de couche arrière conductrice de transport de charges secondaires à l'extérieur de la zone active du dispositif ou servant de fenêtre d'entrée des rayonnements.
Aurola Artto
Fetherstonhaugh & Co.
LandOfFree
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