Semiconductor radiation detector with enhanced charge...

H - Electricity – 01 – L

Patent

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Details

H01L 31/115 (2006.01) G01T 1/24 (2006.01) H01L 27/14 (2006.01)

Patent

CA 2234684

A radiation detector for detecting ionizing radiation. The detector includes a semiconductor (502) having at least two sides. A bias electrode (504) is formed on one side of the semiconductor (502). A signal electrode (506) is formed on a side of the semiconductor (502) and is used to detect the energy level of the ionizing radiation. A third electrode (508) (the control electrode) is also formed on the semiconductor (502). The control electrode (508) shares charges induced by the ionizing radiation with the signal electrode (506), until the charge clouds are close to the signal electrode (506). The control electrode (508) also alters the electric field (518) within the semiconductor (502), such that the field guides the charge clouds toward the signal electrode (506) when the clouds closely approach the signal electrode (506). As a result, trapping of charge carrying radiation (i.e., electrons or holes) is minimized, and low-energy tailing is virtually eliminated.

L'invention concerne un détecteur de radiations servant à détecter les radiations ionisantes. Ce détecteur comprend un semi-conducteur (502) ayant au moins deux côtés. Une électrode de polarisation (504) est formée sur l'un des côtés du semi-conducteur (502). Une électrode de signal (506) est formée sur un autre côté du semi-conducteur et sert à détecter le niveau d'énergie de la radiation ionisante. Une troisième électrode (508), l'électrode de commande, est elle aussi formée sur le semi-conducteur (502). L'électrode de contrôle (508) partage avec l'électrode de signal (506) les charges induites par la radiation ionisante, jusqu'à ce que ces charges se rapprochent de l'électrode de signal (506). L'électrode de contrôle (508) modifie également le champ électrique (518) à l'intérieur du semi-conducteur (502), si bien que ce champ guide la charge vers l'électrode de signal (506 ) lorsque la charge se rapproche de celui-ci. Cela permet de minimiser la capture des charges contenant des radiations (c'est-à-dire des électrons ou des trous), et de quasiment supprimer tout traînage de faible énergie.

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