H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 23/522 (2006.01) H01L 21/768 (2006.01)
Patent
CA 2592826
Semiconductor structures and methods for fabricating semiconductor structures are provided. The method comprises forming a first insulating layer having a substantially planar surface overlying a first conductive layer of an interconnect stack. A thin film resistor is formed overlying the first insulating layer and a second insulating layer is deposited overlying the first insulating layer and the resistor. A portion of the second insulating layer is removed to form a substantially planar surface. The second insulating layer is anisotropically etched to form a first via to the first conductive layer and a fill material comprising tungsten is deposited within the first via. The second insulating layer is wet etched to form a second via to the thin film resistor and a second conductive layer is deposited overlying the second insulating layer and within the second via.
Cette invention concerne des structures semi-conductrices et des procédés de fabrication de structures semi-conductrices. Ce procédé consiste à former une première couche isolante comprenant une surface substantiellement plane recouvrant une première couche conductrice d'un bloc d'interconnexion. Une résistance à couche mince est formée par-dessus la première couche isolante et une deuxième couche isolante est déposée par-dessus la première couche isolante et la résistance. Une partie de la deuxième couche isolante est retirée de façon qu'une surface substantiellement plane soit formée. La deuxième couche isolante est soumise à une gravure anisotrope de façon qu'un premier trou d'interconnexion avec la couche conductrice soit formé et un matériau de remplissage comprenant du tungstène est déposé dans le premier trou d'interconnexion. La deuxième couche isolante est soumise à une gravure humide de façon qu'un deuxième trou d'interconnexion avec la résistance à couche mince soit formé et une deuxième couche conductrice est déposée par-dessus la deuxième couche isolante et à l'intérieur du deuxième trou d'interconnexion.
Medtronic Inc.
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1962383