Semiconductor substrate and method of manufacturing the same

Details Semiconductor substrate and method of manufacturing the same Semiconductor substrate and method of manufacturing the same

H - Electricity

01

L

H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)

Patent

CA 2233115

To provide a manufacturing method excellent in controllability, productivity and economics of a high-quality SOI wafer, and a wafer manufactured by that method, in the wafer manufactured by bonding, after bonding, separation is made on an interface of a high porosity layer in a porous region including a low porosity layer and the high porosity layer in a surface formed on a main surface side of a first Si substrate 2 to transfer a non-porous layer onto a second substrate. After separation at the high porosity layer, a residual low porosity thin layer is made non-porous by a smoothing process such as hydrogen annealing without using selective etching.

Méthode de fabrication d'une plaquette SOI de grande qualité permettant une contrôlabilité, une productivité et un coût excellents et plaquette fabriquée selon cette méthode. Pour une plaquette fabriquée par collage, après le collage, la séparation est réalisée à l'interface d'une couche très poreuse dans une région poreuse comprenant une couche faiblement poreuse et de la couche très poreuse d'une surface formée sur une face principale d'un premier substrat de Si (2) afin de transférer une couche non poreuse sur un deuxième substrat. Après la séparation à la couche très poreuse, une mince couche résiduelle faiblement poreuse est rendue non poreuse par un procédé de lissage comme le recuit à l'hydrogène sans recourir à l'attaque chimique sélective.

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