H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/265 (2006.01) H01L 21/762 (2006.01) H01L 27/12 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01)
Patent
CA 2345122
A method for producing an SOI substrate having a monocrystalline oxide substrate or silicon substrate, an insulating underlying layer of an oxide deposited on the substrate, and a silicon layer epitaxially grown on the underlying layer comprises implanting ions into a first silicon layer epitaxially grown on an insulating underlying layer to turn the interface deep portion of the silicon layer amorphous, recrystalizing the amorphous interface deep portion by annealing, oxidizing part of the surface portion by heating, removing the silicon oxide layer by etching, growing a second silicon layer epitaxially on the remaining first silicon layer, implanting ions again into the silicon layer to turn the interface deep portion amorphous, and recrystalize the amorphous deep portion by annealing. Thus, an SOI substrate having a silicon layer of an extremely small crystal defect density and having a good surface planarity is produced. Therefore, a novel electronic or optical device having a high device performance and a high reliability is built on such a semiconductor substrate.
Ce procédé de production d'un substrat silicium sur isolant, comportant un substrat d'oxyde monocristallin ou un substrat de silicium, une couche sous-jacente isolante d'un oxyde déposé sur le substrat, ainsi qu'une couche de silicium croissant de manière épitaxiale sur la couche sous-jacente, comprend les étapes suivantes consistant à implanter des ions dans une première couche de silicium croissant de manière épitaxiale sur une couche sous-jacente isolante, afin de rendre amorphe la portion profonde d'interface de la couche de silicium, à cristalliser à nouveau cette portion profonde d'interface amorphe par recuit, à oxyder une partie de la portion de surface par chauffage, à enlever la couche d'oxyde de silicium par attache chimique, à faire pousser de manière épitaxiale une seconde couche de silicium sur la première couche de silicium restante, à implanter à nouveau des ions dans la couche de silicium, afin de rendre amorphe la portion profonde d'interface, et à cristalliser à nouveau cette portion profonde par recuit. Ainsi, on produit un substrat silicium sur isolant possédant une couche de silicium à très petite densité de défauts de cristaux et présentant une bonne planéité de surface, et on peut construire, sur un tel substrat, un nouveau dispositif électronique ou optique possédant des performances élevées ainsi qu'une grande fiabilité.
Matsui Masahiro
Morishita Takashi
Asahi Kasei Kabushiki Kaisha
Goudreau Gage Dubuc
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1695049