Semiconductor unit package, semiconductor unit packaging...

H - Electricity – 01 – L

Patent

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H01L 23/28 (2006.01) H01L 21/56 (2006.01) H01L 21/60 (2006.01) H01L 23/29 (2006.01) H01L 23/485 (2006.01)

Patent

CA 2221286

An improved semiconductor unit package is disclosed. This package is implemented by a semiconductor device (1) having an electrode pad (2), a substrate (6) having a terminal electrode (5), a bump electrode (3) formed on the electrode pad (2), a conductive adhesion layer (4) with flexibility, and an encapsulating layer (7) formed by curing a composition the viscosity and thixotropy index of which are below 100 Pa.s and below 1.1, respectively. Such a composition essentially consists of (A) a resin binder that contains, for example, a polyepoxide, an acid anhydride, and a rheology modifier and (B) a filler. The rheology modifier is one capable of impeding interaction between a free acid contained in the acid anhydride and a polar group at the surface of the filler. An encapsulant with improved flowability is used, so that the encapsulant readily flows and spreads to fill a gap between the semiconductor device (1) and the substrate (6) with no air bubbles. This achieves semiconductor unit packages with high reliability and productivity.

L'invention se rapporte à un boîtier amélioré pour dispositif à semiconducteur. L'ensemble du boîtier est constitué par un dispositif à semiconducteur (1) doté d'une plage d'électrode (2), d'un substrat (6) ayant une électrode terminale (5) d'une électrode en forme de bosse (3) sur la plage d'électrode (2) d'une couche conductrice adhésive (4) souple, et d'une couche d'enrobage (7) obtenue par polymérisation d'une composition dont l'incidence de viscosité et thixotropie sont respectivement inférieures à 100 Pa?.¿s et à 1,1. Cette composition consiste essentiellement en (A) un liant en résine qui contient, par exemple, une matière en polyépoxide, un anhydride d'acide, et un modificateur de rhéologie et (B) un matelas de remplissage. Le modificateur de rhéologie est capable d'empêcher l'interaction d'un acide libre que renferme l'anhydride d'acide et un groupe polaire à la surface de la matière de remplissage. On utilise un matériau d'enrobage à fluence améliorée, si bien que ledit matériau s'écoule aisément et s'étend pour combler un intervalle entre le dispositif à semiconducteur (1) et le substrat (6) sans aucune bulle d'air. On réalise de la sorte des boîtiers de dispositifs à semiconducteurs dont la fiabilité et les performances sont élevées.

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