H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/301 (2006.01) H01L 21/00 (2006.01) H01L 21/306 (2006.01) H01L 21/50 (2006.01) H01L 31/04 (2006.01)
Patent
CA 2432300
The invention provides a method for increasing the usable surface area of a semiconductor wafer having a substantially planar surface and a thickness dimension at right angles to said substantially planar surface, the method including the steps of selecting a strip thickness for division of the wafer into a plurality of strips, selecting a technique for cutting the wafer into the strips at an angle to the substantially planar surface, in which the combined strip thickness and width of wafer removed by the cutting is less than the thickness of the wafer, cutting the wafer into strips using the selected technique and separating the strips from each other.
La présente invention concerne un procédé qui permet d'augmenter l'étendue de la surface utile d'une tranche à semi-conducteurs comportant une surface sensiblement plane et présentant une dimension en épaisseur formant un angle droit par rapport à ladite surface sensiblement plane. Le procédé consiste à sélectionner une épaisseur de bande permettant de diviser la tranche en une pluralité de bandes; à sélectionner une technique permettant de couper les bandes dans la tranche au niveau d'un angle formé par rapport à la surface sensiblement plane, cette technique étant telle que la combinaison de l'épaisseur et de la largeur de bande d'une tranche éliminée par la coupe est inférieure à l'épaisseur de la tranche; à couper la tranche sous forme de bandes au moyen de la technique sélectionnée; puis à séparer les bandes les unes des autres.
Blakers Andrew William
Weber Klaus Johannes
Origin Energy Retail Limited
Robic
Transform Solar Pty Ltd
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1700857