G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 7/06 (2006.01) G11C 11/22 (2006.01)
Patent
CA 2520492
A sense amplifier system for sensing the charge of a charge-~storing means (601) comprises a first and second charge reference means (600a, 600b) connected in parallel and similar to the charge-storing means (601) and having respectively opposite polarization. The charge reference means (600a, 600b) and the charge-storing means (601) have a common input node (WL), and first and second pseudo-differential reference sense amplifiers (RSA1, RSA2) are connected with output nodes (RBL1, RBL2) of the charge reference means (600a, 600b) for generating reference signals to a common reference node (CHREF) connected with a pseudo-differential sense amplifier (SA). The pseudo- differential sense amplifier (SA) has a second input for receiving an output signal from the charge-storing means (601) and generates an output signal indicative of a polarization state of the charge-storing means. Another embodiment adapted for sensing the charges of a plurality of charge-storing means (701) and comprising at least two pairs of charge reference means is also described. A non-volatile matrix-addressable memory system comprising an electrical polarizable dielectric memory material exhibiting hysterisis and a sense amplifier system as described is also claimed.
La présente invention concerne un système d'amplificateurs de lecture destinés à la lecture de la charge d'un organe de stockage de charge (601). Il comprend un premier et un second organe de référence de charge (600a, 600b) montés en parallèle et semblables à organe de stockage de charge (601), mais inversement polarisés. Les organes de références de charge (600a, 600b) et l'organe de stockage de charge ont un noeud d'entrée commun (WL), un premier et un second amplificateur de lecture de référence pseudo-différentielle (RSA1, RSA2) étant connectés aux noeuds de sortie (RBL1, RBL2) des organes de références de charge (600a, 600b) de façon à générer des signaux de référence adressés à un noeud de référence commun (CHREF) connecté à un amplificateur de lecture pseudo-différentiel (SA). Cet amplificateur de lecture pseudo-différentiel (SA), qui comporte une seconde entrée permettant de recevoir un signal de sortie provenant de l'organe de stockage de charge (601), génère un signal de sortie caractéristique d'un état de polarisation de l'organe de stockage de charge. L'invention concerne également un autre mode de réalisation conçu pour lire les charge d'une pluralité d'organes de stockage de charge (701) et comprenant au moins deux paires d'organes de référence de charge. L'invention concerne enfin un système de mémoire non-volatile comprenant un matériau de mémoire diélectrique électriquement polarisable faisant preuve d'hystérésis, et un système d'amplificateurs de lecture tels que décrits.
Leistad Geirr I.
Schweickert Robert
Robic
Thin Film Electronics Asa
LandOfFree
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