H - Electricity – 01 – J
Patent
H - Electricity
01
J
H01J 37/317 (2006.01)
Patent
CA 2291697
A shaped electron beam column focuses electrons from an electron source (102) to produce a shadow image (114) of a shaped aperture (104) on a writing plane (108). The shadow image of the shaped aperture is the defocused image of a shape aperture. This defocused shadow image is in the object plane (112) of the shaped electron beam column. The shadow image in the writing plane is defocused because an electron beam lens (106) produces a focused image (110) of the electron source off the writing plane. The size of the shadow image on the writing plane may be altered by adjusting the electron beam lens to change the distance between the electron source image and the writing plane, i.e., defocus. Thus, a relatively large shaped aperture may be used in comparison to shaped apertures used in conventional electron beam columns. Further, only a small total linear demagnification may be used, which permits the length of the shaped electron beam column to be decreased. Consequently, the electron- electron interactions are reduced resulting in increased edge resolution of the image on the writing plane and increased current in the shaped electron beam column thereby increasing throughput.
Selon cette invention, une colonne de faisceaux électroniques modelés focalise les électrons provenant d'une source d'électrons (102) pour produire une image d'ombre (114) d'une ouverture modelée (104) sur un plan d'écriture (108). L'image d'ombre de l'ouverture modelée est une image défocalisée de l'ouverture d'un modèle. Cette image d'ombre défocalisée est située dans le plan d'objet (112) de la colonne de faisceaux électroniques modelés. L'image d'ombre dans le plan d'écriture se trouve défocalisée car une lentille (106) pour faisceaux d'électrons produit une image focalisée (110) de la source d'électrons en dehors du plan d'écriture. On peut modifier la taille de l'image d'ombre sur le plan d'écriture en régulant la lentille pour faisceaux d'électrons de manière à changer la distance entre l'image de la source d'électrons et le plan d'écriture, c'est à dire la défocalisation. De cette manière, on peut utiliser une ouverture modelée d'une taille relativement importante par rapport aux ouvertures modelées utilisées dans des colonnes traditionnelles de faisceaux électroniques. En outre, on ne peut utiliser qu'une petite réduction linéaire totale, ce qui permet de diminuer la longueur de la colonne de faisceaux électroniques modelés. Par conséquent, on réduit les interactions entre électrons, ce qui permet une meilleure résolution sur les bords de l'image dans le plan d'écriture et un courant plus intensif au niveau de la colonne de faisceaux électroniques modelés. Le débit s'en trouve augmenté.
Chang Tai-Hon P.
Mankos Marian
Veneklasen Lee H.
Etec Systems Inc.
Smart & Biggar
LandOfFree
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