Short channel fermi-threshold field effect transistors

Details Short channel fermi-threshold field effect transistors Short channel fermi-threshold field effect transistors

H - Electricity

01

L

H01L 29/78 (2006.01) H01L 29/08 (2006.01)

Patent

CA 2227011

A Fermi-threshold field effect transistor includes spaced-apart source and drain regions which extend beyond the Fermi-tub in the depth direction and which may also extend beyond the Fermi-tub in the lateral direction. In order to compensate for the junction with the substrate, the doping density of the substrate region is raised to counteract the shared charge. Furthermore, the proximity of the source and drain regions leads to a potential leakage due to the drain field which can be compensated for by reducing the maximum tub depth compared to a low capacitance Fermi-FET and a contoured-tub Fermi-FET while still satisfying the Fermi-FET criteria. The tub depth is maintained below a maximum tub depth. Short channel effects may also be reduced by providing source and drain extension regions in the substrate, adjacent the source and drain regions and extending towards the channel regions. The source and drain extension regions are doped the same conductivity type and doping concentration as the source and drain themselves. A Fermi-FET which is particularly suitable for small linewidths is thereby provided.

Un transistor à effet de champ (TEC) à seuil de Fermi comporte des zones source et drain séparées, s'étendant au-delà de la cuvette de Fermi en profondeur et éventuellement, latéralement. Afin de corriger une situation créée par la jonction avec le substrat, on élève le niveau de dopage de la zone du substrat de manière à contrarier le partage de charge. La proximité des zones source et drain, est susceptible d'entraîner, de surcroît, des fuites dues à l'effet de drain pouvant être corrigées par une diminution de la profondeur maximale de la cuvette en comparaison de celle d'un TEC de Fermi de faible capacité et d'un TEC de Fermi mis au contour, tout en répondant néanmoins aux critères d'un TEC de Fermi. La profondeur de la cuvette est maintenue en dessous d'une profondeur maximale de cuvette. Il est également possible de réduire des effets de canal court en ménageant des extensions aux zones source et drain dans le substrat, contiguës à celles-ci et s'étendant vers les zones canal. On dope ces zones d'extension du même type de conductivité et de concentration de dopage que la source et le drain eux-mêmes. On obtient de la sorte un transistor à effet de champ de Fermi se prêtant particulièrement à de petites largeurs de ligne.

Affiliated with

Also associated with

Rating

Short channel fermi-threshold field effect transistors does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.

If you have personal experience with Short channel fermi-threshold field effect transistors, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Short channel fermi-threshold field effect transistors will most certainly appreciate the feedback.

Rate now

Comments { 0 }

Profile ID: LFCA-PAI-O-1367680