Silicon carbide power devices with self-aligned source and...

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H - Electricity

01

L

H01L 21/336 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01)

Patent

CA 2522820

Silicon carbide semiconductor devices and methods of fabricating silicon carbide semiconductor devices are provided by successively etching a mask layer to provide windows for formation of a source region of a first conductivity type, a buried silicon carbide region of a second conductivity type opposite to the first conductivity type and a second conductivity type well region in a first conductivity type silicon carbide layer. The source region and the buried silicon carbide region are formed utilizing a first window of the mask layer. Then, the well region is formed utilizing a second window of the mask layer, the second window being provided by a subsequent etch of the mask layer having the first window.

La présente invention se rapporte à des dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium et à des procédés de fabrication de dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium qui consistent successivement à graver une couche masque de façon à constituer des fenêtres pour la formation d'une région source d'un premier type de conductivité, d'une région en carbure de silicium noyée d'un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité et d'une région de puits du second type de conductivité dans une couche en carbure de silicium du premier type de conductivité. La région de source et la région en carbure de silicium noyée sont formées au moyen d'une première fenêtre de la couche masque. Ensuite la région de puits est formée au moyen d'une seconde fenêtre de la couche masque, ladite seconde fenêtre étant obtenue au moyen d'une gravure subséquente de la couche masque présentant la première fenêtre.

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