Silicon carbide single crystal, silicon carbide substrate...

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C - Chemistry, Metallurgy

30

B

C30B 23/06 (2006.01) C30B 29/36 (2006.01)

Patent

CA 2524581

SiC single crystal that includes a first dopant functioning as an acceptor, and a second dopant functioning as a donor is provided, where the content of the first dopant is no less than 5 × 10 15 atoms/cm3, the content of the second dopant is no less than 5 × 15 atoms/cm3, and the content of the first dopant is greater than the content of the second dopant. A manufacturing method for silicon carbide single crystal is provided with the steps of fabricating a raw material by mixing a metal boride with a material that includes carbon and silicon; vaporizing the raw material; generating a mixed gas that includes carbon, silicon, boron and nitride; and growing silicon carbide single crystal that includes boron and nitrogen on a surface of a seed crystal substrate by re- crystallizing the mixed gas on the surface of the seed crystal substrate.

Divulgation d'un monocristal de SiC comprenant un premier dopant fonctionnant comme accepteur et un second dopant fonctionnant comme donneur, dans lequel la teneur du premier dopant n'est pas inférieure à 5 .fois. 10 15 atomes/cm3, la teneur du second dopant n'est pas inférieure à 5 .fois. 10 15 atomes/cm3 et la teneur du premier dopant est supérieure à celle du second dopant. Une méthode de fabrication de monocristaux de carbure de silicium est divulguée. Elle comprend les étapes de fabrication d'une matière première brute par mélange d'un borure de métal avec un matériau qui contient du carbone et du silicium, de vaporisation de cette matière première brute, de production d'un gaz mixte qui contient du carbone, du silicium, du bore et du nitrure, de croissance d'un monocristal de carbure de silicium contenant du bore et de l'azote sur une surface d'un germe par recristallisation du gaz mixte sur la surface du germe.

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