Silicon carbide sinter and process for producing the same

C - Chemistry – Metallurgy – 04 – B

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C04B 35/565 (2006.01) C04B 35/573 (2006.01)

Patent

CA 2339649

The present invention provides: a fabrication method of a silicon carbide sintered body, including a step of fabricating a mixed powder slurry by dissolving or dispersing silicon carbide powder, at least one organic material composed of a nitrogen source, and at least one organic material composed of a carbon source or carbon powder in a solvent, a step of fabricating a green body by pouring the mixed powder slurry into a mold and drying and a step of filling pores in the green body by immersing the green body in high purity metallic silicon that has been heated to 1450 to 1700°C in a vacuum atmosphere or inert gas atmosphere and melted, and generating silicon carbide by reacting silicon sucked up into the pores in the green body by capillary action with free carbon in the green body; and a silicon carbide sintered body obtained by a reaction sintering method, having a density of 2.90 g/cm3 or more and a volume resistivity of 10 0 .OMEGA..cndot.cm or less, and containing nitrogen at 150 ppm or more.

Un procédé de production de fritte de carbure de silicium consiste à dissoudre ou à disperser dans un solvant, du carbure de silicium en poudre, une matière organique comprenant au moins une source d'azote et une matière organique comprenant au moins une source de carbone ou une poudre de carbone, de sorte qu'une suspension de poudres mélangées soit produite; à verser ladite suspension dans un moule et à la sécher de sorte qu'une ébauche crue soit produite; à immerger ladite ébauche dans du silicium métal très pur, maintenu en fusion entre 1 450 et 1 700 DEG C, dans une atmosphère de vide ou de gaz inerte, de manière que le silicium s'infiltre par capillarité dans les pores de l'ébauche verte, qu'il réagisse avec le carbone libre de ladite ébauche, que du carbure de silicium soit produit et que les pores soient remplis. L'invention porte également sur une fritte de carbure de silicium obtenue par un procédé de frittage réactif, et qui présente une densité de 2,90 g/cm<3> ou plus, une résistivité volumique de 10<0> OMEGA cm ou moins, et une teneur en azote de 150 ppm ou plus.

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