Silicon carbide sputtering target

Details Silicon carbide sputtering target Silicon carbide sputtering target

C - Chemistry, Metallurgy

23

C

C23C 14/34 (2006.01) C04B 35/565 (2006.01) C04B 35/575 (2006.01) C23C 14/06 (2006.01)

Patent

CA 2180665

The invention provides a silicon carbide sputtering target comprising non- stoichiometric silicon carbide, SiCx, where x is the molar ratio of carbon to silicon and x is greater than about 1.1 but less than about 1.45. The sputtering target of this invention is superior to sputtering targets prepared from presently available non-stoichiometric silicon carbide in that the DC magnetron sputtering rate using the new sputtering target is nearly an order of magnitude higher than the rate achievable with presently available targets. The invention also includes processes for making the new sputtering target from a raw batch and preparing superior silicon carbide films by sputtering the target.

Cette invention concerne une cible de pulvérisation cathodique de carbure de silicium comprenant du carbure de silicium non stoechiométrique, SiC¿x?, dans lequel x représente le rapport molaire carbone/silicium, x étant supérieur à environ 1,1 mais cependant inférieur à environ 1,45. La cible de pulvérisation cathodique de cette invention est plus performante que les cibles de pulvérisation cathodique préparées à partir du carbure de silicium non stoechiométrique actuellement disponible étant donné que la vitesse de pulvérisation cathodique du magnétron à courant continu qui utilise la nouvelle cible de pulvérisation cathodique est approximativement d'un ordre de grandeur supérieur à la vitesse qu'on peut obtenir avec les cibles actuellement disponibles. Cette invention concerne également des procédés de production de cette nouvelle cible de pulvérisation cathodique à partir d'une charge de matière brute et de préparation de films améliorés au carbure de silicium par pulvérisation cathodique de la cible.

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